Магнитосопротивление LEAI-75 и эффект гигантского магнитосопротивления
Бағасын нақтылаңыз
- Под заказ
- Коды:LEAI-75
Жіберу 15 июня 2026
Прибор LEAI-75 предназначен для изучения магниторезистивных эффектов — изменения сопротивления материала в ответ на приложенное магнитное поле. К этим эффектам относятся нормальное магниторезистивное сопротивление (OMR), анизотропное магниторезистивное сопротивление (AMR), гигантское магниторезистивное сопротивление (GMR), а также другие, такие как колоссальное магниторезистивное сопротивление (CMR) и туннельное магниторезистивное сопротивление (TMR).
Магнитосопротивление широко используется в таких областях, как магнитная память, спинтроника и сенсорные технологии. Система LEAI-75 предлагает три типа датчиков магнитосопротивления: многослойный мембранный датчик GMR, датчик GMR со спиновым клапаном и анизотропный датчик магнитосопротивления. Она идеально подходит для проведения экспериментов по физике материалов и особенно полезна для курсов современной физики в колледжах и университетах.
| Параметр | Технические данные и значения |
| Объекты исследования | Антимонид индия (InSb) и GMR-датчик (многослойная структура) |
| Источник магнитного поля | Электромагнит с регулируемым воздушным зазором |
| Индукция магнитного поля (B) | 0 — 600 мТл (при зазоре 10 мм и токе 2 А) |
| Источник питания поля (DC) | Регулируемый ток 0 — 2.000 А |
| Стабильность тока поля | менее 0.001 / час |
| Рабочий ток образца (DC) | 0 — 10.00 мА (стабилизированный) |
| Диапазон вольтметра | 0 — 199.9 мВ / 0 — 1.999 В (цифровой) |
| Разрешение вольтметра | 10 мкВ / 1 мВ |
| Погрешность измерений | менее или равно 1% |
| Датчик Холла | Встроенный полупроводниковый датчик для контроля поля |
| Индикация | Три независимых 4-разрядных LED-дисплея |
| Регулировка зазора | Винтовой механизм (ход 0 — 40 мм) |
| Питание системы | AC 220 В +/- 10%, 50 Гц |
| Габариты блока управления | 400 мм x 300 мм x 160 мм |
| Вес электромагнита | около 15 кг |
Список функций и возможностей LEAI-75
-
Изучение магнитосопротивления InSb: Исследование зависимости электрического сопротивления полупроводника от индукции внешнего магнитного поля. Наблюдение квадратичной зависимости в слабых полях и линейной в сильных.
-
Исследование эффекта GMR: Изучение квантовомеханического эффекта резкого изменения сопротивления в чередующихся слоях ферромагнетиков и немагнитных металлов.
-
Калибровка электромагнита: Снятие зависимости индукции магнитного поля в зазоре от тока намагничивания с помощью встроенного датчика Холла.
-
Снятие вольтамперных характеристик (ВАХ): Измерение параметров образцов при различных значениях магнитного поля.
-
Определение магниточувствительности: Расчет коэффициента изменения сопротивления ($\Delta R/R$) для различных материалов.
- Бағасы: Бағасын нақтылаңыз