Параметр |
Значение |
Конструкция детектора |
Полностью имплантированные ионные структуры с несколькими защитными кольцами |
Диаметр активной зоны |
24,50 мм |
Внешние размеры чипа |
28,76 мм от плоскости к плоскости (16 сторон) |
Варианты типа соединительного окна |
2 |
Варианты металлических соединений |
M |
Омическое окно |
- |
Упаковка |
Упаковка длиной 2 м, размещено в металлических корпусах |
Толщина |
20 мкм, 30 мкм, 80 мкм, 300 мкм |
Типичное полное истощение (FD) |
<3 В (обычно 2 В), <5 В (2 В типично), <7 В, <60 В |
Типичный суммарный ток утечки при FD |
<2 нА (1 В типично) |
Общий ток утечки (при FD +10 В) |
<2 нА, <2 нА, <2 нА, <10 нА |
Напряжение при 10 мкА |
>50 В, >50 В, >50 В, >100 В |
Типичное напряжение при 10 мА |
<0,80 В |
Емкость (FD) |
40 пФ/см² |
Полное альфа-разрешение соединения |
<100 кэВ FWHM, <100 кэВ FWHM, <40 кэВ FWHM, <35 кэВ FWHM |
Полное омическое альфа-разрешение |
<100 кэВ FWHM, <100 кэВ FWHM, <45 кэВ FWHM, <45 кэВ FWHM |
- Цена: Цену уточняйте