Оборудование для очистки полупроводниковых пластин RCA

1. Общая информация об оборудовании

• Для обработки пластин 50 мм / 100 мм (25 шт. за цикл)
• Рекомендуемое сервисное пространство (PM Space): 500–600 мм
• Название оборудования: химическая рабочая станция
• Время работы: 0–12 часов
• Обслуживание: оператором и инженером с периодической частотой использования
• Температура в чистой зоне (Fab): 23±2°C
• Влажность в чистой зоне: <60%

2. Конфигурация оборудования

• Корпус оборудования: PP корпус, устойчивый к кислотам и щелочам
• Рама оборудования: нержавеющая сталь SUS304
• Режим работы: ручной
• Дверь: вертикально-скользящая (вверх-вниз), обеспечивает разделение и безопасность персонала, герметичная конструкция для предотвращения утечки газов
• Независимое LED-освещение: герметичная система освещения, не контактирует с газами внутри шкафа
• Ванна: ~250 × 250 × 200 мм, материал PVDF, циркуляция через насос и фильтр
• Корпус и фильтр: 10-дюймовый PFA корпус с фильтром PTFE 0.1 мкм
• Насос: сильфонный (bellows pump)
• Трубопроводы: PFA / PP
• Колёса и регулируемые опоры: в комплекте
• Поддон для утечек: в комплекте
• Пистолет N2: в комплекте

2.1 Конфигурация ванн

3. Система трубопроводов оборудования

• Химические реагенты и DI-вода подаются из системы заказчика (facility system)
• Сточная вода отводится в систему предприятия от каждой ванны
• Отработанные химические жидкости также сливаются в систему предприятия
• Соединения подачи DI воды и слива выполнены через активные соединения (quick/active connection)

4. Инженерные системы (справочно)

• Питание: 380 VAC ±10% (также может быть 220V), низковольтное исполнение (VLF design)
• Номинальная мощность: ≤2 кВт
• Электробезопасность: класс E, с заземлением
• DI вода: давление 2–4 кг/см², расход до 2 м³/ч, DN25
• Источник сжатого воздуха (CDA): 0.8 МПа
• Дренаж: DN40
• Вытяжка: DN200

5. Модели оборудования

6. Технические характеристики