Продавец Martukbrothers LLP развивает свой бизнес на Satu.kz 10 лет.
Знак PRO означает, что продавец пользуется одним из платных пакетов услуг Satu.kz с расширенными функциональными возможностями.
Создать сайт на Satu.kz
Корзина
+7 (708) 965-41-55
martuk.kz
Корзина

Установка магнетронного распыления MSP-300B

Цену уточняйте

  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: MSP-300B
clockОтправка с 06 октября 2026
Установка магнетронного распыления MSP-300B
Установка магнетронного распыления MSP-300BПод заказ
Цену уточняйте
+77089654155
  • +7 (708) 965-41-55
    Офис Call-центр
+77089654155
  • +7 (708) 965-41-55
    Офис Call-центр

Заказ только по телефону

Установка магнетронного распыления 

Назначение

Данная установка предназначена для нанесения различных тонкопленочных покрытий (металлических, неметаллических и композиционных) на поверхность плоских и аналогичных по форме образцов методом магнетронного распыления.

Оборудование специально разработано для университетов, научно-исследовательских институтов и лабораторий и предназначено для научных исследований и учебного процесса.


Конструкция и особенности

Установка оснащена цилиндрической камерой распыления с небольшой передней дверцей, обеспечивающей удобную загрузку и выгрузку образцов.

Круглая магнетронная мишень имеет регулируемые угол наклона и расстояние до образца. Поддерживаются два режима распыления:

  • вертикальное магнетронное распыление;
  • наклонное совместное распыление (Co-Sputtering).

Вертикальное распыление

Позволяет проводить до 6 различных технологических процессов за один цикл, включая:

  • нанесение однослойных покрытий;
  • нанесение многослойных покрытий.

Шторка (затвор) образца предотвращает загрязнение поверхности во время технологического процесса.

Наклонное совместное распыление (Co-Sputtering)

Позволяет за один цикл наносить на один образец:

  • однослойные покрытия;
  • многослойные покрытия;
  • покрытия методом совместного распыления нескольких материалов.

Использование компактных магнетронных мишеней для обработки образцов большой площади позволяет существенно снизить стоимость исследований.

Переключение между режимами выполняется без замены держателя образцов, что делает эксплуатацию оборудования более удобной.

Доступны два варианта исполнения:

  • MSP-300B — распыление сверху вниз (мишень расположена сверху);
  • MSP-300BT — распыление снизу вверх (мишень расположена снизу).

По желанию заказчика установка может быть оснащена системой предварительной очистки поверхности с использованием ионного источника.

Установка представляет собой экономичное, практичное и высокоэффективное решение для научных исследований и образовательных задач.

Безопасность системы

Надежность и безопасность оборудования обеспечиваются за счет применения современных программно-аппаратных средств:

  • системы датчиков;
  • системы межблокировок (Interlock);
  • контроля времени выполнения операций;
  • интеллектуального мониторинга;
  • сохранения текущего состояния оборудования;
  • защиты при аварийном завершении работы;
  • журнала безопасности;
  • журнала действий оператора.

Данные функции позволяют исключить возникновение неисправностей оборудования вследствие ошибок оператора.

Области применения

  • микроэлектроника;
  • оптоэлектроника;
  • телекоммуникации;
  • микромеханика (MEMS);
  • новые материалы;
  • новая энергетика;
  • научные исследования.

Технические характеристики

Параметр Значение
Вакуумная система Система на базе молекулярного насоса
Размеры магнетронных мишеней Ø2 дюйма, Ø60 мм, Ø3 дюйма, Ø80 мм
Количество магнетронных источников 1–4
Регулируемое расстояние до мишени 6–12 см
Регулировка угла мишени Точность регулировки 1°
Материалы распыления Металлы, магнитные материалы, диэлектрики, металлические соединения, неметаллические соединения, полупроводниковые материалы и другие материалы для формирования тонких пленок
Источники питания RF (высокочастотный), DC (постоянный ток), импульсный DC, DC Bias
Количество образцов 6 + 1
Станция прямого распыления 6 образцов диаметром до 2 дюймов
Станция совместного распыления (Co-Sputtering) 1 образец диаметром до 4 дюймов
Вращение столика (Co-Sputtering) 0–30 об/мин, плавная регулировка скорости
Вращение столика (прямое распыление) Поворотный механизм смены позиции
Нагрев образцов (Co-Sputtering) От комнатной температуры до 600 °C, высокотемпературный нагреватель — опция
Нагрев образцов (прямое распыление) От комнатной температуры до 600 °C, точность поддержания температуры ±1 %
Неравномерность покрытия ±3…±5 %
Скорость напыления Зависит от материала и технологического процесса (уточняется у производителя)

Дополнительные опции

  • источник ионов Кауфмана (диаметр пучка 6 см);
  • система управления подачей реактивных газов Speedflo;
  • система очистки поверхности смещением (Bias Cleaning) и вспомогательного осаждения;
  • система несбалансированного магнетронного распыления (Unbalanced Magnetron Sputtering);
  • система контроля толщины пленки в режиме реального времени с кварцевым датчиком и автоматическим определением окончания процесса нанесения покрытия;
  • система полного спектрального мониторинга и анализа остаточных газов (Residual Gas Analysis, RGA)
Характеристики
Основные
Страна производительКитай
СостояниеНовое
Информация для заказа
  • Цена: Цену уточняйте