Установка для травления с индуктивно связанной плазмой ICP-601

Данное оборудование поддерживает как режим чисто химического травления, так и комбинированный режим физико-химического травления. Оно предназначено для выполнения сухого травления линий субмикрометрового размера с формированием высокоточных структур. По сравнению с методом RIE (реактивного ионного травления), оборудование обеспечивает более высокие общие показатели процесса травления и имеет более широкую область применения.

 

Система позволяет обрабатывать как сверхтонкие структуры нанометрового масштаба, так и материалы по всей площади пластины. Основными преимуществами являются высокая селективность, высокая скорость травления и хорошая воспроизводимость результатов.

 

Оборудование главным образом предназначено для травления стандартных образцов диаметром до Ø6 дюймов. Оно подходит для использования в научных исследованиях, образовательных учреждениях, а также на производственных предприятиях.

 

SiO₂ (диоксид кремния);

Si₃N₄ (нитрид кремния);

SiC (карбид кремния);

GaN (нитрид галлия);

GaAs (арсенид галлия);

ITO (оксид индия-олова);

AZO (оксид цинка, легированный алюминием);

поликристаллический кремний;

монокристаллический кремний;

фоторезист;

различные полупроводниковые материалы;

некоторые металлы и другие материалы.

 

Безопасность и надежность оборудования обеспечиваются за счет комплексной системы защиты, включающей:

интегрированные аппаратно-программные средства контроля;

систему взаимных блокировок (interlock);

контроль времени выполнения операций;

интеллектуальный мониторинг состояния оборудования;

сохранение текущего состояния при сбоях;

защиту при аварийном прерывании процесса (breakpoint protection);

ведение журналов безопасности;

регистрацию всех действий оператора.

 

Такая система исключает возникновение неисправностей оборудования вследствие ошибок оператора и обеспечивает стабильную и безопасную эксплуатацию.

 

микроэлектроника;

оптоэлектроника;

телекоммуникации и связь;

микромеханика (MEMS);

новые материалы;

новые источники энергии;

другие высокотехнологичные направления исследований и производства.

Оборудование оснащено вакуумной системой на основе коррозионностойкого молекулярного насоса, обеспечивающей стабильное создание высокого вакуума. Конструкция предусматривает одну вакуумную камеру с высоковакуумной системой травления.

 

Система обладает высокой стойкостью к воздействию фторсодержащих и менее агрессивных технологических газов. Максимальный размер обрабатываемых образцов составляет до 6 дюймов в диаметре.

 

Скорость травления находится в диапазоне 0,1–4 мкм/мин в зависимости от типа обрабатываемого материала и выбранного технологического процесса. Неравномерность травления составляет ±3–±5 %.

 

Рабочий стол имеет регулируемую высоту в диапазоне 40–100 мм с шагом регулировки 1 мм, что позволяет оптимизировать условия обработки различных образцов.

 

Конфигурация источников питания включает ВЧ-генератор (RF) верхнего электрода и смещение (Bias) нижнего электрода с системой автоматического согласования импеданса.

 

Стандартная система охлаждения образца реализована с использованием водяного охлаждения. По запросу может быть установлена система охлаждения с обратной подачей гелия (He Backside Cooling) для более эффективного отвода тепла.

 

В стандартной комплектации оборудование оснащается четырьмя коррозионностойкими газовыми линиями, при необходимости их количество и конфигурация могут быть изменены в соответствии с требованиями заказчика.

 

Опционально оборудование может комплектоваться системой контроля конечной точки травления (Endpoint Detection), а также системой глубокого травления кремния (Deep Silicon Etching System, DRIE).

 

Предусмотрены два режима эксплуатации: полностью автоматический и полуавтоматический, что обеспечивает удобство работы как при серийной обработке, так и при выполнении исследовательских и экспериментальных задач.