Установка индуктивно-связанного плазменного травления RIE-601

 

Данная установка использует сочетание физических и химических методов для обработки материалов с субмикронными и нанометровыми размерами. Она предназначена для сухого травления линий с целью формирования высокоточных микроструктур и обеспечивает высокую селективность процесса, высокую скорость травления, а также отличную повторяемость результатов.

 

Оборудование применяется главным образом для травления стандартных образцов диаметром до 6 дюймов и предназначено для использования в научно-исследовательских институтах, учебных лабораториях и на производственных предприятиях.

 

Установка позволяет выполнять травление следующих материалов: SiO₂ (диоксид кремния), Si₃N₄ (нитрид кремния), SiC (карбид кремния), GaN (нитрид галлия), GaAs (арсенид галлия), ITO (оксид индия-олова), AZO (оксид цинка, легированный алюминием), поликристаллический кремний, монокристаллический кремний, фоторезисты, полупроводниковые материалы, а также некоторые металлы.

 

 

Безопасность оборудования обеспечивается благодаря комплексному взаимодействию программных и аппаратных средств. Система включает технологии межблочных блокировок, контроль времени выполнения операций, интеллектуальный мониторинг, сохранение состояния оборудования в режиме реального времени, защиту при аварийном прерывании процесса, ведение журналов безопасности и регистрации действий оператора. Такое решение обеспечивает высокую надежность работы и предотвращает возникновение неисправностей, вызванных ошибками оператора.

 

 

Установка используется в таких областях, как микроэлектроника, оптоэлектроника, телекоммуникации, микромеханика (MEMS), разработка новых материалов, а также технологии новой энергетики.

 

 

Система создания вакуума — коррозионностойкая система с молекулярным насосом.

Количество вакуумных камер — 1.

Камера травления — высоковакуумная.

Стойкость системы к коррозии — устойчива к воздействию фторсодержащих и менее агрессивных технологических газов.

Максимальный размер образца — до 6 дюймов.

Скорость травления — от 0,1 до 4 мкм/мин (в зависимости от материала и технологического процесса).

Неравномерность травления — ±3…±5 %.

Рабочий стол — регулируемый по высоте в диапазоне 60–120 мм с шагом регулировки 1 мм.

Конфигурация питания — высокочастотный (RF) источник питания с системой автоматического согласования импеданса.

Стандартная система охлаждения образца — водяное охлаждение.

Газовая система — стандартная комплектация включает 6 коррозионностойких газовых линий; возможна установка дополнительных газовых линий по требованию заказчика.

Контроль конечной точки травления (Endpoint Detection) — опционально.

Система глубокого травления кремния (Deep Silicon Etching System) — опционально.

Режимы работы — полностью автоматический и полуавтоматический.