Экспериментальное устройство для измерения плотности магнитного потока

Кривая обратимой потери плотности магнитного потока получается путем тестирования изменения магнитного потока после нагрева и возврата к нормальной температуре, одновременно с этим получается кривая необратимой потери плотности магнитного потока. Используя электромагнит, который может создавать обратное магнитное поле, можно также получить антимагнитную кривую материала в условиях высоких температур, которую можно использовать для оценки диапазона применения магнита в магнитной цепи.

Характеристики экспериментального устройства плотности потока редкоземельных постоянных магнитов DX-2012MD

● Нагрев при комнатной температуре ~200 °C, что соответствует требованиям температурных испытаний испытуемого образца;
● Настройте термомедное приспособление так, чтобы образец нагревался равномерно;
● Устройство измерения магнитного момента потока может быть сконфигурировано для измерения кривой необратимой потери плотности магнитного потока образца;
● Применяя обратное магнитное поле, можно получить диамагнитную кривую материала в условиях высоких температур;

Нагревательный магнит зазора DXT-100

1. Зазор магнитного поля 0–50 мм плавно регулируется, с цифровым дисплеем, разрешение 0,01 мм;
2. Диаметр поверхности полюса составляет 100 мм, равномерная площадь - не менее 60 мм, однородность - 0,1%;
3. Когда напряженность магнитного поля составляет 25 мм, напряженность магнитного поля составляет не менее 750 кА/м;
4. Диапазон температур: нормальная температура ~ 200 ° C, температурное разрешение 0,1 ° C, точность 1,0% ± 0,2 ° C.

DX-200C источник питания для обогрева

1, входная мощность: 220 В ± 10%, 50 Гц
2, выходная мощность: 400 ВА
3. С настройкой температуры и датчиком контроля температуры.

DXF2031 источник питания возбуждения

1, входная мощность: 220 В ± 10%, 50 Гц
2, выходная мощность: 400 ВА
3. С настройкой температуры и датчиком контроля температуры.

DX-103 Гауссметр переменного тока

1. Диапазон испытаний: 0–0,2–2T, два файла;
2. Неопределенность магнитного поля: 1,0% (ниже 1Т) 2,0% (1Т~2Т)