Магнитооптический измеритель эффекта Керра для полупроводниковых пластин

Wafer Moke может создавать вертикальное магнитное поле силой до 2,5 Тл/плоскостное магнитное поле до 1,3 Тл, а сильное магнитное поле может вызывать переворачивание свободного слоя, опорного слоя и закрепленного слоя стопки пленок вертикальной анизотропной магнитной памяти произвольного доступа (MRAM);
Сверхвысокая чувствительность обнаружения Керра, которая может одновременно характеризовать тонкие магнитные изменения различных слоев пленки. Сочетание лазерного точечного обнаружения со сканирующей визуализацией позволяет быстро создать глобальную карту магнитных свойств пластин, помогая оптимизировать процесс и контролировать выход продукции.

Показатели производительности и преимущества

▹Размер выборки: поддерживает тестирование пластин размером до 12 дюймов, имеет обратную совместимость, поддерживает тестирование фрагментов;
▹Магнитное поле: максимальное вертикальное магнитное поле лучше ±2,5 Тл, а разрешение магнитного поля составляет 1 мкТл;
▹Чувствительность магнитного обнаружения: степень обнаружения угла поворота Керра лучше 0,3 мград (RMS), подходит для магнитной характеристики стопок многослойных пленок;
▹Точность повторного позиционирования образца: лучше ±1 мкм, статический джиттер ≤±0,25 мкм.

Функции и сценарии применения

▹Измерение петли вертикального гистерезиса стеков MRAM и массивов устройств (полярный Керр для MRAM);
▹Измерение петли вертикального гистерезиса магнитных носителей информации, таких как диски (Polar Kerr для PMR Disk);

▹Измерение петли гистерезиса в плоскости пленки магнитного датчика;
▹Автоматическое извлечение информации о петле гистерезиса, такой как свободный слой и закрепленный слой Hc, Hex, Ms и т. д., что позволяет быстро построить карту распределения магнитных свойств пластины;
▹Система предварительно устанавливает режимы сканирования, такие как распределение по одной точке, массиву и кольцевому распределению, а также поддерживает импорт пользовательских списков положений;
▹Система обеспечивает ручную загрузку или полностью автоматическую работу в соответствии с потребностями исследований и разработок/производства.

Результаты измерения петель гистерезиса перпендикулярной анизотропной магнитной туннельной стопки конъюнктивы

Диаграмма распределения характеристик коэрцитивного поля 8-дюймовой пластины с перпендикулярной магнитной анизотропией